石墨烯薄膜快速轉(zhuǎn)移方法

石墨烯轉(zhuǎn)移
石墨烯是自然界硬度較高、厚度較低的一種材料，在導(dǎo)電、電子、光學、熱輻射性等各方面均有優(yōu)異的性能，因而被廣泛看好擁有廣闊的前景應(yīng)用于微電子、改性新材料、航空*行器、新能源等領(lǐng)域，所以其被認為是新世紀戰(zhàn)略性劃時代的材料。
石墨烯結(jié)構(gòu)示意圖
石墨烯常見的形態(tài)為兩類：石墨烯粉體和石墨烯薄膜。石墨烯粉體為納米——原子級，十層以內(nèi)二位結(jié)構(gòu)的石墨自然聚集，被視為石墨烯，常見制備方法為液相剝離法、氧化還原法等。石墨烯薄膜是層數(shù)較少、一般為單層到十層以內(nèi)、需生長或生長后通過一定技術(shù)手段轉(zhuǎn)移于一定特殊基底上的，有連續(xù)分布石墨烯的材料。
理想的石墨烯是原子級二維正六邊形結(jié)構(gòu)碳原子，不過很多商家銷售并不是真正意義上的石墨烯，而是由不完全二維結(jié)構(gòu)的多層以上碳原子碎片拼湊的多晶碳薄膜，與理論上石墨烯薄膜有著相當大的區(qū)別。
根據(jù)**標準化組織 iso 定義，石墨烯可以是單層、雙層、多層（3-10 層）、或者納米片結(jié)構(gòu)（厚度 1-3 納米，直徑 100 納米到 100 微米）。
單層石墨烯
而較有科研**和技術(shù)含量的是單層、雙層或多層石墨烯。
銅基底石墨烯薄膜成品
cvd石墨烯薄膜是較為常見的一種產(chǎn)品，cvd法制備的石墨烯薄桿，初始大多都是生長在銅基底上面的，因此，在很多實驗中都是需要把石墨烯轉(zhuǎn)移到自己需要的基底上面，在轉(zhuǎn)移過程中也是一個相對比較麻煩的事情，那么，有沒有一種能夠簡單快速轉(zhuǎn)移的石墨烯薄膜？為了解決實際操作中出現(xiàn)的困難，通過微晶科技快速轉(zhuǎn)移石墨烯薄膜可實現(xiàn)快速、穩(wěn)定、高質(zhì)量制備石墨烯薄膜；通過泡取式石墨烯的刻蝕制得石墨烯薄膜，再將其轉(zhuǎn)移到懸空基底上，此時只需將其再去離子水中釋放即可實現(xiàn)輕松快速轉(zhuǎn)移至各種基底的石墨烯薄膜，微晶科技的石墨烯薄膜保護層薄膜（常見為pmma）轉(zhuǎn)移到目標基底后，低溫烘干，浸泡丙酮即可去除保護層，使用及其方便，可為科研機構(gòu)和各大高校節(jié)約大量的時間和精力，較大程度降低了使用成本，使石墨烯薄膜的普及較加便利高效。
石墨烯薄膜轉(zhuǎn)移制備中
合肥微晶材料科技有限公司專注于石墨烯熱輻射涂料,石墨烯熱輻射漿料,石墨烯散熱涂料等