合肥析氧電*-化工節(jié)能設(shè)備(推薦商家)

采用預(yù)鍍鉍膜法修飾鉑電*，用該電*對痕量pd，析氧電*，cd同時進行了差分脈沖溶出伏安法測定，pd，cd在富集中和鉍形成類似于齊的合金，溶出峰良好.討論了在不同沉積液和沉積時間下得到的鉍膜電*的性能和富集時間，富集電位及底液ph對金屬離子測定的影響.在優(yōu)化的實驗條件下，分別對10~100μg/l，20~200μg/l和50~500μg/l3個不同濃度系列的pb2 ，cd2 進行了同時測定，pb，cd溶出峰電流與pb2 ，cd2 濃度呈良好的線性關(guān)系(r≥0.999)，pb2 ，cd2 濃度的線性范圍均為10~500μg/l;富集時間為180 s時，pb2 ，cd2 的檢出限分別為0.38μg/l和0.82μg/l.利用本方法測定了蔬菜中pb的含量，并與原子熒光分析法做了對比，結(jié)果令人滿意.
導(dǎo)電聚合物是一類重要的*電容器電*材料，其電容主要來自于法拉第準(zhǔn)電容.采用不同摻雜方式的導(dǎo)電性聚合物(n型或p型)作為電*材料使相應(yīng)的*電容器分為3種基本類型，這3種類型的*電容器各具有不同的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)及特性.介紹了*電容器導(dǎo)電聚合物的工作原理和導(dǎo)電聚合物電*材料的研究進展.用光電流作用譜，光電流-電勢圖和uv-vis光說研究了tio2/聚*多孔膜電*在不含氧化還原對和含不同氧化還原體系電解質(zhì)溶液中的光電轉(zhuǎn)換過程.tio2/聚*多孔膜電*雙層n型半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，內(nèi)層tio2多孔膜的禁帶寬度為3.26ev，外層聚*膜的禁帶寬度為2.2ev.
用5%(v/v)3-氨基丙基三乙氧基(prnh_2ⅱ)在石墨電*表面化以導(dǎo)入氨基(—nh_2)，然后用-(3-二丙基)碳(edc)作為偶聯(lián)活化劑，將單鏈dna(ssdna)共價固定在石墨電*表面.采用顯微分光光度法，紅外光譜法和電化學(xué)方法對電*表面的ssdna層進行了表征，并用紫外-可見光譜法對電*表面固定化ssdna的雜交特性進行了研究.結(jié)果表明，ssdna可以比較均勻地固定在石墨電*表面，而且ssdna是通過5端*基以*氨基酯鍵的形式共價結(jié)合在電*表面，固定在電*表面的ssdna的雜交特性未發(fā)生變化，能夠有效地與溶液中的互補鏈cdna進行雜交反應(yīng).
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