西門康SKM150GB12VG功率IGBT模塊 廠家直銷 量多從優(yōu)
igbt(insulated gate bipolar transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由bjt(雙極型三極管)和mos(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件, 兼有mosfet的高輸入阻抗和gtr的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。gtr飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;mosfet驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導通壓降大,載流密度小。igbt綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。
igbt非常適合應用于直流電壓為600v及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
igbt功率模塊采用ic驅(qū)動,各種驅(qū)動保護電路,高性能igbt芯片,新型封裝技術(shù),從復合功率模塊pim發(fā)展到智能功率模塊ipm、電力電子積木pebb、電力模塊ipem。pim向高壓大電流發(fā)展,其產(chǎn)品水平為1200—1800a/1800—3300v,ipm除用于變頻調(diào)速外,600a/2000v的ipm已用于電力機車vvvf逆變器。平面低電感封裝技術(shù)是大電流igbt模塊為有源器件的pebb,用于艦艇上的導彈發(fā)射裝置。ipem采用共燒瓷片多芯片模塊技術(shù)組裝pebb,大大降低電路接線電感,提高系統(tǒng)效率,現(xiàn)已開發(fā)成功第二代ipem,其中所有的無源元件以埋層方式掩埋在襯底中。智能化、模塊化成為igbt發(fā)展熱點。
大電流高電壓的igbt已模塊化,它的驅(qū)動電路除上面介紹的由分立元件構(gòu)成之外,已制造出集成化的igbt專用驅(qū)動電路。其性能更好,整機的可靠性更高及體積更小。
igbt模塊的電壓規(guī)格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關(guān)。其相互關(guān)系見下表。使用中當igbt模塊集電極電流增大時,所產(chǎn)生的額定損耗亦變大。同時,開關(guān)損耗增大,使原件發(fā)熱加劇,因此,選用igbt模塊時額定電流應大于負載電流。特別是用作高頻開關(guān)時,由于開關(guān)損耗增大,發(fā)熱加劇,選用時應該降等使用。
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