KRi 射頻離子源 IBSD離子束濺射沉積應用

上海伯東美國kri 考夫曼 rf 射頻離子源, 燈絲提供高能量, 低濃度的寬束離子束, 離子束轟擊濺射目標, 濺射的原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜, ibsd 離子束濺射沉積 和 ibd 離子束沉積是其典型的應用.
kri離子源在 ibsd 離子束濺射沉積應用通常安裝兩個離子源主要濺射沉積源和二次預清潔 / 離子輔助源一次氣源為惰性氣體, 二次氣源為惰性或反應性氣體基板遠離濺射目標工藝壓力在小于× 10-4 torr
離子源在離子束濺射沉積工藝過程:
上海伯東美國kri 射頻離子源優勢提供致密, 光滑, 無針孔, 的薄膜遠離等離子體: 低基材溫度不需要偏壓襯底濺射任何材料, 不需要射頻濺射電源非常適用于復雜, 精密的多層薄膜制備清潔, 低污染工藝沉積原子為堅硬, 的薄膜保留濺射能量離子能量, 離子電流密度的控制優良的反應沉積工藝
上海伯東美國 kri射頻離子源rficp 系列, 燈絲提供高能量, 低濃度的離子束, 通過柵控制離子束的能量和方向, 單次工藝時間長! 射頻離子源適合多層膜的制備, 離子濺鍍鍍膜和離子蝕刻, 改善靶材的致密性, 光透射, 均勻性, 附著力等.上海伯東是美國kri 離子源中國總代理.上海伯東同時提供濺射沉積系統所需的渦輪分子泵,真空規,高真空插板閥等產品, 協助客戶生產研發高質量的真空系統.1978 年 dr. kaufman 博士在美國創立 kaufman & robinson, inc 公司, 研發生產考夫曼離子源,霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經40 年改良及發展 離子源廣泛用于離子清洗 pc, 離子蝕刻 ibe, 輔助鍍膜 ibad, 離子濺射鍍膜 ibsd 領域.
伯東企業（上海）有限公司專注于pfeiffer,氦質譜檢漏儀,intest等