原裝現貨供應-ASEMI-90N10原裝現貨供應

編輯：l
mos管（mosfet）的發熱情況：
1.電路設計的問題，就是讓mos管工作在線性的工作狀態，而不是在開關狀態。這也是導致mos管發熱的一個原因。如果n-mos做開關，g級電壓要比電源高幾v，才能完全導通，p-mos則相反。沒有完全打開而壓降過大造成功率消耗，等效直流阻*比較大，壓降*，所以u*i也*，損耗就意味著發熱。這是設計電路的忌諱的錯誤。
2.頻率太高，主要是有時過分追求體積，導致頻率提高，mos管上的損耗*了，所以發熱也加大了。
3.沒有做好足夠的散熱設計，電流太高，mos管標稱的電流值，一般需要良好的散熱才能達到。所以id小于電流，90n10原裝現貨供應，也可能發熱嚴重，10n60原裝現貨供應，需要足夠的輔助散熱片。
4.mos管的選型有誤，24n50原裝現貨供應，對功率判斷有誤，mos管內阻沒有充分考慮，導致開關阻**。
編輯：l
asemi品牌 25n120 mos場效應晶體管 插件封裝 mosfet
型號：25n120
封裝：to-247/3p
漏*電流（vds）：25a
漏源電壓（id）：1200v
工作溫度：-55℃~150℃
種類：場效應晶體管/mosfet
品牌：asemi
市面上常有的一般為n溝道和p溝道，原裝現貨供應，詳情參考右側圖片(p溝道耗盡型mos管)。而p溝道常見的為低壓mos管。
編輯：l
mos管（mosfet/場效應管）的主要參數：
7. *間電容
·三個電*之間都存在著*間電容:柵源電容cgs 、柵漏電容cgd和漏源電容cds
·cgs和cgd約為1~3pf，cds約在0.1~1pf之間
8. 低頻噪聲系數nf
·噪聲是由管子內部載流子運動的不規則性所引起的。·由于它的存在，就使一個放大器即便在沒有信號輸人時，在輸出端也出現不規則的電壓或電流變化
·噪聲性能的大小通常用噪聲系數nf來表示，它的單位為分貝(db)。這個數值越小，代表管子所產生的噪聲越小
·低頻噪聲系數是在低頻范圍內測出的噪聲系數
·場效應管的噪聲系數約為幾個分貝，它比雙*性三*管的要小
原裝現貨供應-asemi-90n10原裝現貨供應由強元芯電子（廣東）有限公司提供。強元芯電子（廣東）有限公司堅持“以人為本”的企業理念，擁有一支高素質的員工隊伍，力求提供更好的產品和服務回饋社會，并歡迎廣大新老客戶光臨惠顧，真誠合作、共創美好未來。強元芯電子——您可信賴的朋友，公司地址：深圳市福田區福虹路9號世貿廣場a座38層，聯系人：李絢。同時本公司還是從事三相整流橋，深圳三相整流橋，深圳三相整流橋整流模塊的廠家，歡迎來電咨詢。