二氧化硅靶材SiO2磁控濺射靶材

二氧化硅(sio₂)靶材 磁控濺射靶材 電子束鍍膜蒸發(fā)料
參數(shù)說明
支持靶材定制，請(qǐng)?zhí)峁┌胁漠a(chǎn)品的元素、比例（重量比或原子比）、規(guī)格，我們會(huì)盡快為您報(bào)價(jià)！！
產(chǎn)品介紹
二氧化硅（化學(xué)式：sio₂）是一種酸性氧化物，對(duì)應(yīng)水化物為硅酸（h₂sio₃）。二氧化硅是硅最重要的化合物之一。地球上存在的天然二氧化硅約占地殼質(zhì)量的12%，其存在形態(tài)有結(jié)晶型和無定型兩大類，統(tǒng)稱硅石。
中文名 二氧化硅 熔點(diǎn) 1650(±50)℃
化學(xué)式 sio₂ 水溶性 2230℃
分子量 60.08 溶解度 0.012g/100ml(水中)
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服務(wù)項(xiàng)目：靶材成份比例、規(guī)格、純度均可按需定制。科研單位貨到付款，質(zhì)量保證，無憂！
產(chǎn)品附件：發(fā)貨時(shí)產(chǎn)品附帶裝箱單/質(zhì)檢單/產(chǎn)品為真空包裝
適用儀器：多種型號(hào)磁控濺射、熱蒸發(fā)、電子束蒸發(fā)設(shè)備
質(zhì)量控制：嚴(yán)格控制生產(chǎn)工藝，采用輝光放電質(zhì)譜法gdms或icp光譜法等多種檢測(cè)手段，分析雜質(zhì)元素含量保證材料的高純度與細(xì)小晶粒度；可提供質(zhì)檢報(bào)告。
加工流程：熔煉→提純→鍛造→機(jī)加工→檢測(cè)→包裝出庫(kù)
陶瓷化合物靶材本身質(zhì)脆且導(dǎo)熱性差，連續(xù)長(zhǎng)時(shí)間濺射易發(fā)生靶裂情況，綁定背靶后，可提高化合物靶材的導(dǎo)熱性能，提高靶材的使用壽命。我們強(qiáng)烈建議您，選購(gòu)陶瓷化合物靶材一定要綁定銅背靶！
我公司采用高純銦作為焊料，銦焊厚度約為0.2mm，高純無氧銅作為背靶。
注 ：高純銦的熔點(diǎn)約為156℃，靶材工作溫度超過熔點(diǎn)會(huì)導(dǎo)致銦熔化！綁定背靶不影響靶材的正常使用！
建議：陶瓷脆性靶材、燒結(jié)靶材，高功率下濺射易碎，建議濺射功率不超過3w/cm2。
我公司主營(yíng)金屬靶材、陶瓷靶材、合金靶材，歡迎您的垂詢。